在铜原子排列的间隙增加了铬原子,提高了晶格致密度,故适合放电精打镜面。在硬度较高且耐磨的条件下,具有优良的导电导热性,故可放电薄片型腔。
密度8.9g/cm³ 导电率≥42-47MS/m
熔化温度≥1080℃ 硬度≥60-84HRB(106-167HV)
抗弯强度390MPa
应用例:放电镜面,电子接插件,耐磨导电块,电路继电器等电子零件。
执行标准:美国国标C18200